Estrutura encapsulamento
Chip Transistor
Nível de poder
Alto poder
descrição detalhada
canal n 55 v 110 a (tc) 200 w.
tecnologia
mosfet (óxido de metal)
número do produto
Irf3205
descrição
mosfet n-ch 55 v 110 a 220 ab
corrente de purga pulsada - máx. (idm)
390 a.
Pacote de Transporte
Standard
Marca Registrada
JDP/Original
Capacidade de Produção
10000